EE Awards Asia 2025 Voting Open – Vote for the Best in Technology

獲獎理由： Wolfspeed 正持續擴展其業界領先的碳化矽（SiC）MOSFET 和蕭特基二極體（Schottky Diode）分立元件產品線，最新推出頂部散熱（Top Side Cooled, TSC）封裝的 U2 系列。該系列提供 650V 至 1200V 多種電壓選項，能顯著提升系統功率密度與效率，同時優化熱管理效能並提高電路板佈局的靈活性。頂部散熱 (Top Side Cooled, TSC) 元件的熱能主要透過封裝頂部進行散逸。在 TSC 封裝結構中，晶片（die）以倒裝方式置於封裝頂部，使熱量可直接傳導至元件上表面。此設計特別適合高效能應用，例如AI 資料中心等需要高功率密度、先進熱管理方案及小型化設計的場合。在這些應用中，TSC 元件能有效滿足冷卻需求，實現最大功率散逸並優化整體熱效能。

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德州儀器

產品：UCG28826 具有整合式 GaN (65W) 的自偏壓高頻 QR 返馳式轉換器

獲獎理由： TI創新的自偏壓 UCG28826 GaN 返馳式轉換器為工程師提供高度可配置的解決方案，實現簡化的無輔助設計、高效率、高密度，並且更容易符合EMI電磁干擾規範，適用於最高達65W 的AC/DC消費性電源供應器。 UCG28826提供業界首創的自偏壓運作，省去變壓器輔助繞組和相關的電源轉換電路，實現更簡化的設計、更高的功率密度（無外殼時功率密度 >2.8W/cm3）和更低的成本。

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立錡科技

產品：具備功能安全支援的高精度汽車用重置信號IC

獲獎理由： RTQ2588-QB 是一款專為車載系統設計的高精度、低功耗電壓監控重置信號IC，通過 AEC-Q100 認證，支援系統達成 ASIL-B 功能安全要求，滿足車用電子對可靠性與安全性的嚴苛要求。產品具備極低靜態功耗，典型供電電流僅 3.5μA，最大值為 7μA，即使於高溫環境中亦能穩定運作，特別適用於需長時間待機的低功耗平台。全溫範圍內電壓感測精度達 ±0.78%，可實現高精度的過壓與欠壓監控，確保系統防護機制即時啟動。內建自我診斷電路，具備異常偵測能力，進一步強化整體功能安全架構。 RTQ2588-QB 結合準確度、能效與安全性於單一解決方案中，實現設計簡化與系統效能優化，已獲 Tier 1 車用廠商評估導入，特別適合應用於對穩定性與能效具高度要求的車載電源監控場景。

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羅姆半導體

產品：羅姆 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

獲獎理由： 650V耐壓GaN HEMT的量產，ROHM利用在垂直整合生產體系中所累積的元件設計技術和自家優勢，於2024年12月10日宣佈以此作為與台積公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱 TSMC）合作的一環，前段製程在TSMC生產，後段製程在ATX生產。另外ROHM還計畫與ATX合作生產車載GaN元件。預計從2026年起，GaN元件在汽車領域的普及速度將會加快，ROHM也計畫在加強內部開發的同時，進一步加深與上述合作夥伴之間的關係，加快車載GaN元件投入市場的速度。新產品內建TOLL封裝的第2代GaN on Si晶片，在與導通電阻和輸出電容相關的元件性能指標 (RDS(ON)×Qoss)方面，數值表現達到業界頂級水準。這將有助需要高耐壓且高速開關的電源系統進一步實現節能和小型化。因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用。

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尼克森微電子

產品：超級模組

獲獎理由：雙面散熱的設計是一個相當關鍵的特色，在不用增加很多體積的情況下，可以提升功率密度，同時，對功率模組來說，一個關鍵的參數是雜散電感。尼克森的SPR Pack滿足了超低雜散電感的需求，來到了6nH的水平。超低雜散電感可以達成800 V的逆便器系統以及電池系統過電流保護開關應用

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羅姆半導體

產品：羅姆高功率密度新型SiC模組

獲獎理由：近年來為實現無碳社會，電動車的普及速度進一步加快。為延長電動車的續航里程並提升充電速度，採用的電池正往更高電壓等級加速推進，同時提升OBC和DC-DC轉換器輸出功率的需求也日益增加。 ROHM推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模組「HSDIP20」，該系列產品非常適用於電動車OBC的PFC和LLC轉換器等應用，內建散熱性能優異的絕緣基板，即使大功率工作時也可有效抑制晶片的溫度升高，出色的散熱性能使該產品能以極小的封裝對應大電流需求。與頂面散熱型Discrete元件相比，HSDIP20的電流密度達到3倍以上；與同類型DIP模組相比，電流密度高達1.4倍以上，達到業界頂級水準。 HSDIP20的產品陣容包括750V耐壓的6款機型，和1200V耐壓的7款機型（BSTxxx2P4K01）。透過將各種大功率應用的電路所需的基本電路匯集到小型模組封裝中，可有效減少客戶端的設計工時，並有助實現OBC的小型化。

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羅姆半導體

產品：羅姆2in1 SiC封裝模組「TRCDRIVE pack™」

獲獎理由：近年來在實現無碳社會的過程中，汽車的電動化發展迅速，也促成了更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統的開發。另一方面作為關鍵元件而備受關注的SiC功率元件，卻面臨著難以同時減小尺寸並降低損耗的難題。對此ROHM推出了TRCDRIVE pack™，可以解決動力系統中的相關課題。 TRCDRIVE pack™是牽引逆變器驅動用SiC封裝型模組的專用商標，擁有該商標的產品利用ROHM獨家結構，大幅擴大了散熱面積，實現了小巧型封裝。另外新產品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現了比競品SiC封裝型模組高1.5倍的業界頂級功率密度，非常有助xEV逆變器的小型化。此外該模組在頂部配置了「Press fit pin」方式的控制用訊號引腳，因此只需從頂部按壓閘極驅動器電路板即可完成連接，有助減少安裝工時。不僅如此，還儘可能擴大主電流佈線中的電流路徑，並採用雙層佈線結構，降低了電感值（5.7nH），有助降低開關損耗。

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