TDM24745T 為業界首款採用 TLVR（跨電感穩壓器）技術的四相 OptiMOS™ 電源模組，將四個功率級、TLVR 電感與解耦電容高密度整合於僅 9×10×5 mm³ 的封裝中，實現超過 2 A/mm² 的電流密度。該款高密度共同封裝的設計優化PCB布局，為低壓高動態的 AI 加速器核心供電軌提供卓越的瞬態效能。

特性：
• 峰值能力高達 320 A，支援下一代 AI 處理器與高電流多處理器平台。
• TLVR 架構可將輸出電容需求減少多達 50%，顯著節省板面空間與 BOM 成本。
• 極快瞬態響應，縮短電源回應時間，提升系統穩定性與運算吞吐量。
• 相容橫向與垂直供電（VPD）配置，助力低損耗、高密度 PDN 設計與降低 TCO。
• 作為英飛凌端到端 AI 供電生態的一環，結合 Si、SiC 與 GaN 等材料優勢，確保量產供應韌性與系統化支援。
採用技術：
• OptiMOS-6 MOSFET 技術與晶片嵌入式封裝提升效率與熱性能。
• 專有 TLVR 磁性元件技術與先進晶片嵌入式封裝優化瞬態與散熱表現。
• 與英飛凌數位多相控制器整合，提供靈活可擴展的電源架構。

TDM24745T 以其獨特整合與先進技術及封裝，為 AI 資料中心提供更高功率密度、更快瞬態響應與更低系統成本，為電源模組在性能與系統效率上帶來關鍵躍進。