我們報導了一種在藍寶石基板上採用分子束外延（MBE）成長的氮化鎵（GaN）功率高電子遷移率電晶體（HEMT），其擊穿電壓超過 1000 伏。透過使用 MBE 成長的超薄氮化鋁（AlN）緩衝層，以及採用單層閘極場板技術，實現了高於 1000V 的高擊穿電壓。

MBE 技術有助於成長無摻雜緩衝層，這對於提高 GaN 功率 HEMT 的高可靠性具有重要意義。同時，單層場板技術有助於降低製造成本並提升 GaN 功率 HEMT 的可靠性。這些優勢表明所製備的 GaN 功率 HEMT 在高功率電子器件應用中具有廣闊前景。