安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU設計中非常受歡迎，有助於實現下一代20 kW系統，以創新的Combo架構、高能效、高可靠性及系統友好性，解決了AI領域大電流、高功率場景的核心痛點。其獨特設計/關鍵特性/採用的技術包括：
• Combo JFET的設計旨在讓用戶能夠分別獨立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。
• 超低導通電阻Rds(on)：採用SiC JFET技術，UG4SC075005L8S的導通電阻低至5mOhm，顯著降低導通損耗，提高能效。
• 更高的峰值電流I(dm)：峰值電流對於電路保護應用至關重要，而高 I(dm)的UG4SC075005L8S正是實現這一目的的理想選擇。電路保護應用因其特定的工作條件而要求穩健性和大電流穿越能力。
• 低熱阻R(θJC)：安森美的UG4SC075005L8S採用銀燒結裸片貼裝技術，與大多數焊接材料相比，介面導熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實現相同甚至更低的結至外殼熱阻R(θJC)。低R(θJC)有助於保持較低的結溫，並確保更高的可靠性。
• 速度可控性：電路保護和多路並聯應用的理想選擇。通過降低關斷速度來減少電壓過沖，可加強電路保護，尤其是短路保護。易於並聯，出色地平衡了開關損耗和動態電流平衡之間的性能。
• 結構簡單，使用壽命長，無參數漂移
• 柵極驅動相容性：支援使用成熟的矽基電晶體驅動器，無需專用驅動電路，簡化系統設計，加快開發速度。