650V耐壓GaN HEMT的量產，ROHM利用在垂直整合生產體系中所累積的元件設計技術和自家優勢，於2024年12月10日宣佈以此作為與台積公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱 TSMC）合作的一環，前段製程在TSMC生產，後段製程在ATX生產。另外ROHM還計畫與ATX合作生產車載GaN元件。預計從2026年起，GaN元件在汽車領域的普及速度將會加快，ROHM也計畫在加強內部開發的同時，進一步加深與上述合作夥伴之間的關係，加快車載GaN元件投入市場的速度。

新產品內建TOLL封裝的第2代GaN on Si晶片，在與導通電阻和輸出電容相關的元件性能指標 (RDS(ON)×Qoss)方面，數值表現達到業界頂級水準。這將有助需要高耐壓且高速開關的電源系統進一步實現節能和小型化。因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用。