第四代 (GEN 4) 碳化矽MOSFET技術平台專為改善高功率設計中常見的開關行為與設計挑戰而開發。此平台提供750V、1200V及2300V等多種電壓等級，為Wolfspeed功率元件產品線制定了長期技術發展藍圖。

第四代 (GEN 4) 碳化矽MOSFET技術將為高功率車用領域、工業應用及再生能源系統的設計者提供顯著的性能增強。

專為極端環境而設計，確保長期可靠運作
第四代 (GEN 4) 元件具備高達2.3微秒的短路耐受時間，為關鍵應用提供額外的安全餘裕。相較於前代技術，該平台將宇宙射線瞬態故障率（FIT）提升達100倍，確保在不同海拔高度下皆能維持可靠性能。體二極體設計優化可提升系統效能與耐用性，實現更快切換速度、更低損耗與減少振鈴現象——使VDS突波降低80%。精選的第四代晶片通過185°C連續運作與200°C有限壽命運作認證，為追求極致性能的設計提供彈性空間。

專為全面提升系統效率而設計
第四代 (GEN 4) 元件可在工作溫度下實現特定導通電阻降低達21%，有效減少輕載與滿載時的傳導損耗。在硬開關應用中，更能帶來開關損耗降低15%的優勢。此效能提升佐以第四代元件優異的175°C RDSON表現，充分體現Wolfspeed對實際工作環境中可靠性能的承諾。

專為降低系統成本與縮短開發週期而設計
新一代平台能採用更小型、更經濟的被動與濾波元件，從而縮短系統開發時間並降低成本。此外，第四代 (GEN 4) 元件可在相同封裝尺寸下實現高達30%的功率輸出提升。其整合的新型軟體二極體設計能大幅降低反向恢復時的EMI干擾，不僅簡化EMI認證流程，更可縮減EMI濾波器的尺寸需求。