Gen 4 Automotive Qualified Bare Die SiC MOSFET EM4E120-032D10
Candidate for:EE Awards - Power Semiconductor
Wolfspeed 最新推出的 EM4E120-032D10 是一款第四代 9.6 mΩ 裸片 MOSFET,專為客製化模組設計,提供卓越性能。與 Wolfspeed 第三代技術相比,此產品最大導通電阻(RDSON)降低 25%,並優化了 RDSON 分佈。
EM4E120-032D10 的設計能透過更快速的開關特性,協助模組製造商降低系統成本並縮短開發時間。其整合的軟恢復體二極體可顯著提升開關性能,與第三代MOSFET基準相比,效能提升高達30%。此外,憑藉超過500的高電容比,EM4E120-032D10 能有效抑制寄生導通,提供更穩健的解決方案。
EM4E120-032D10 在多項技術上取得突破,即便在汽車應用等嚴苛環境下仍能展現極致性能。其晶片金屬化製程同時支援背面與頂面焊接及燒結技術,確保晶片與封裝間的熱阻抗降至最低。在性能表現之外,EM4E120-032D10 成功通過 185°C 的完整 AECQ-101 可靠性測試,創下 Wolfspeed 裸片產品中最高連續工作結溫的紀錄。額外測試證實,該元件在其使用壽命期間可承受 200°C 間歇運轉 100 小時。與基準產品相比,其失效率(FIT rate)更優化了 100 倍。
憑藉上述性能與可靠性的突破性進展,EM4E120-032D10 無疑成為汽車動力總成應用領域中,客製化模組建構的最佳選擇。
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