EPC2367 是一款先進的增強型氮化鎵功率場效應電晶體（eGaN^® FET），充分利用氮化鎵的特性，在性能上遠超傳統矽基MOSFET。該器件工作電壓為100 V，具有超低的導通電阻（典型值僅為1.2 mΩ），專為新一代高頻率、高效率的電源系統而設計，能夠滿足其嚴苛的性能需求。該器件採用3mm x 5mm緊湊型熱增強QFN封裝，支持頂部散熱設計，其佈局可最大程度降低寄生參數影響，既能加速設計週期又能實現卓越的熱管理性能。