產品55nm工藝制程擁有更高密度的集成，在原有產品的性能基礎上進行優化升級，工藝不斷得到創新，擁有密度更高、功能更複雜的晶片電路設計，從而使得產品的特徵尺寸不斷縮小，同時產品支援Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式，不斷提高可靠性，溫度從-40℃-125℃ ，將更適用于要求更為嚴苛的車規級應用環境，更有多項核心技術為優化產品性能保駕護航，使其更廣泛地適配于各種應用領域。

規格：
密度: 1Gb
電壓: 1.8V
溫度: -40℃~125℃
速度:166MHz
封裝: BGA24